击穿电压英文（什么叫spd电源）

本文目录

• 什么叫spd电源
• 半导体二极管的文字符号VD中V是哪个英文单词的缩写
• 反向击穿电压ubr的名词解释
• 电压英语怎么说
• 电容器的耐压值和额定电压、击穿电压有什么区别电容器上标的电压是什么电压
• 做场效应传感器时用什么仪器测试
• mosfet击穿怎么用英语
• 电容器的耐压值、额定电压和击穿电压有什么区别电容器上标的电压是什么电压

什么叫spd电源

电涌保护器电涌保护器(Surge protection Device)是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置，过去常称为“避雷器”或“过电压保护器”英文简写为SPD。 什么是电涌（又称浪涌）和峰值电压？ 电涌和峰值电压（脉冲）是指“常规”电压的增加，通常由剧烈变动或电力需求的增加而引起。打开大功率电器、吸尘器、空调、洗衣机都可以引发电涌和峰值电压。任何一种类型的干扰都能够损坏电子设备。超出实际维修范围。另外，恶劣天气（闪电）和电力公司的日常拉关闸及维修工作都会给电源线带来破坏性的电涌。 您为什么需要电涌保护器？ 即使是很小的电涌或峰值电压也可以最终摧毁或影响昂贵的电子设备的性能，如电脑、电话、传真、电视、音频/视频设备和其它家用电器和工具。电脑芯片的普遍使用越发需要电涌保护，因为这些芯片往往对电压波动都十分敏感。 电涌保护器如何工作？ 电涌保护器像电力海绵一样，能够吸收危险的额外电压，防止大多数这样的电压进入您的敏感设备。 具有电话线保护功能的防涌插座可给您的用电设备提供最完备的保护，以防受到有害电涌侵害。电涌和尖峰电压会通过电话和电源线破坏或降低您贵重电子设备的性能水平。完善的电涌保护功能可随时保护诸如计算机、电话机、调制解调器、电视机及其它家庭电子设备和电器用具。防浪涌插座，可以使您的用电设备及电话设备防雷击、稳定工作、延长电器使用寿命。 产品特点： 保护电话/DSL/宽带线路 保护高达45,000安的最大尖峰电流 提供高达1780焦耳能级的最大保护 过滤电磁/无线电频率干扰（EMI/RFI） 在1纳秒内响应以保护设备 ---------------------------------- 电涌保护器(Surge protection Device)是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置，过去常称为“避雷器”或“过电压保护器”英文简写为SPD。电涌保护器的作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内，或将强大的雷电流泄流入地，保护被保护的设备或系统不受冲击而损坏。 电涌保护器的类型和结构按不同的用途有所不同，但它至少应包含一个非线性电压限制元件。 用于电涌保护器的基本元器件有：放电间隙、充气放电管、压敏电阻、抑制二极管和扼流线圈等。 一、SPD的分类： 1、按工作原理分： 1．开关型：其工作原理是当没有瞬时过电压时呈现为高阻抗，但一旦响应雷电瞬时过电压时，其阻抗就突变为低值，允许雷电流通过。用作此类装置时器件有：放电间隙、气体放电管、闸流晶体管等。 2．限压型：其工作原理是当没有瞬时过电压时为高阻扰，但随电涌电流和电压的增加其阻抗会不断减小，其电流电压特性为强烈非线性。用作此类装置的器件有：氧化锌、压敏电阻、抑制二极管、雪崩二极管等。 3．分流型或扼流型 分流型：与被保护的设备并联，对雷电脉冲呈现为低阻抗，而对正常工作频率呈现为高阻抗。 扼流型：与被保护的设备串联，对雷电脉冲呈现为高阻抗，而对正常的工作频率呈现为低阻抗。 用作此类装置的器件有：扼流线圈、高通滤波器、低通滤波器、1/4波长短路器等。 按用途分：(1)电源保护器：交流电源保护器、直流电源保护器、开关电源保护器等。 (2)信号保护器：低频信号保护器、高频信号保护器、天馈保护器等。 二、SPD的基本元器件及其工作原理： 1．放电间隙(又称保护间隙)： 它一般由暴露在空气中的两根相隔一定间隙的金属棒组成(如图15a)，其中一根金属棒与所需保护设备的电源相线L1或零线（N）相连，另一根金属棒与接地线(PE)相连接，当瞬时过电压袭来时，间隙被击穿，把一部分过电压的电荷引入大地，避免了被保护设备上的电压升高。这种放电间隙的两金属棒之间的距离可按需要调整，结构较简单，其缺点时灭弧性能差。改进型的放电间隙为角型间隙，它的灭弧功能较前者为好，它是*回路的电动力F作用以及热气流的上升作用而使电弧熄灭的。 2．气体放电管： 它是由相互离开的一对冷阴板封装在充有一定的惰性气体(Ar)的玻璃管或陶瓷管内组成的。为了提高放电管的触发概率，在放电管内还有助触发剂。这种充气放电管有二极型的，也有三极型的， 气体放电管的技术参数主要有：直流放电电压Udc;冲击放电电压Up(一般情况下Up≈(2～3)Udc;工频而授电流In;冲击而授电流Ip；绝缘电阻R(》109Ω)；极间电容(1-5PF) 气体放电管可在直流和交流条件下使用，其所选用的直流放电电压Udc分别如下：在直流条件下使用：Udc≥1.8U0（U0为线路正常工作的直流电压） 在交流条件下使用：U dc≥1.44Un(Un为线路正常工作的交流电压有效值) 3．压敏电阻： 它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对电压十分敏感。它的工作原理相当于多个半导体P-N的串并联。压敏电阻的特点是非线性特性好（I=CUα中的非线性系数α），通流容量大（～2KA/cm2），常态泄漏电流小（10-7～10-6A），残压低（取决于压敏电阻的工作电压和通流容量），对瞬时过电压响应时间快（～10-8s），无续流。 压敏电阻的技术参数主要有：压敏电压（即开关电压）UN，参考电压Ulma；残压Ures；残压比K(K=Ures/UN)；最大通流容量Imax；泄漏电流；响应时间。 压敏电阻的使用条件有：压敏电压：UN≥U0（U0为工频电源额定电压） 最小参考电压：Ulma≥（1.8～2）Uac (直流条件下使用) Ulma≥（2.2～2.5）Uac（在交流条件下使用，Uac为交流工作电压） 压敏电阻的最大参考电压应由被保护电子设备的耐受电压来确定，应使压敏电阻的残压低于被保护电子设备的而损电压水平，即(Ulma)max≤Ub/K，上式中K为残压比，Ub为被保护设备的而损电压。 4．抑制二极管： 抑制二极管具有箝位限压功能，它是工作在反向击穿区（图19），由于它具有箝位电压低和动作响应快的优点，特别适合用作多级保护电路中的最末几级保护元件。抑制二极管在击穿区内的伏安特性可用下式表示：I=CUα，上式中α为非线性系数，对于齐纳二极管α=7～9，在雪崩二极管α=5～7。 抑制二极管的技术参数主要有 （1）额定击穿电压，它是指在指定反向击穿电流（常为lma）下的击穿电压，这于齐纳二极管额定击穿电压一般在2.9V～4.7V范围内，而雪崩二极管的额定击穿电压常在5.6V～200V范围内。 （2）最大箝位电压：它是指管子在通过规定波形的大电流时，其两端出现的最高电压。 （3）脉冲功率：它是指在规定的电流波形（如10/1000μs）下，管子两端的最大箝位电压与管子中电流等值之积。 （4）反向变位电压：它是指管子在反向泄漏区，其两端所能施加的最大电压，在此电压下管子不应击穿。此反向变位电压应明显高于被保护电子系统的最高运行电压峰值，也即不能在系统正常运行时处于弱导通状态。 （5）最大泄漏电流：它是指在反向变位电压作用下，管子中流过的最大反向电流。 （6）响应时间：10-11s 5．扼流线圈：扼流线圈是一个以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件，它由两个尺寸相同，匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上，形成一个四端器件，如图15e所示，要对于共模信号呈现出大电感具有抑制作用，而对于差模信号呈现出很小的漏电感几乎不起作用。扼流线圈使用在平衡线路中能有效地抑制共模干扰信号（如雷电干扰），而对线路正常传输的差模信号无影响。 这种扼流线圈在制作时应满足以下要求： 1）绕制在线圈磁芯上的导线要相互绝缘，以保证在瞬时过电压作用下线圈的匝间不发生击穿短路。 2）当线圈流过瞬时大电流时，磁芯不要出现饱和。 3）线圈中的磁芯应与线圈绝缘，以防止在瞬时过电压作用下两者之间发生击穿。 4）线圈应尽可能绕制单层，这样做可减小线圈的寄生电容，增强线圈对瞬时过电压的而授能力。 6． 1/4波长短路器 1/4波长短路器是根据雷电波的频谱分析和天馈线的驻波理论所制作的微波信号电涌保护器，其结构如图21所示。这种保护器中的金属短路棒长度是根据工作信号频率（如900MHZ或1800MHZ）的1/4波长的大小来确定的。此并联的短路棒长度对于该工作信号频率来说，其阻抗无穷大，相当于开路，不影响该信号的传输，但对于雷电波来说，由于雷电能量主要分布在n+KHZ以下（如图22所示），此短路棒对于雷电波阻抗很小，相当于短路，雷电能量级被泄放入地。 由于1/4波长短路棒的直径一般为几毫米，因此耐冲击电流性能好，可达到30KA（8/20μs）以上，而且残压很小，此残压主要是由短路棒的自身电感所引起的，其不足之处是工频带较窄，带宽约为2％～20％左右，另一个缺点是不能对天馈设施加直流偏置，使某些应用受到限制。 三、SPD的基本电路 电涌保护器的电路根据不同需要，有不同的形式，其基本元器件就是上面介绍的几种，一个技术精通的防雷产品研究工作者，可设计出五花八门的电路，好似一盒积木可搭出不同的结构图案。研制出既有效又性能价格比好的产品，是防雷工作者的重任。 四、电涌保护器器的主要参数 1、标称电压Un：被保护系统的额定电压相符，在信息技术系统中此参数表明了应该选用的保护器的类型，它标出交流或直流电压的有效值。 2、额定电压Uc：能长久施加在保护器的指定端，而不引起保护器特性变化和激活保护元件的最大电压有效值。 3、额定放电电流Isn：给保护器施加波形为8/20μs的标准雷电波冲击10次时，保护器所耐受的最大冲击电流峰值。 4、最大放电电流Imax：给保护器施加波形为8/20μs的标准雷电波冲击1次时，保护器所耐受的最大冲击电流峰值。 5、电压保护级别Up：保护器在下列测试中的最大值：1KV/μs斜率的跳火电压；额定放电电流的残压。 6、响应时间tA：主要反应在保护器里的特殊保护元件的动作灵敏度、击穿时间，在一定时间内变化取决于du/dt或di/dt的斜率。 7、数据传输速率Vs：表示在一秒内传输多少比特值，单位：bps；是数据传输系统中正确选用防雷器的参考值，防雷保护器的数据传输速率取决于系统的传输方式。 8、插入损耗Ae：在给定频率下保护器插入前和插入后的电压比率。 9、回波损耗Ar：表示前沿波在保护设备（反射点）被反射的比例，是直接衡量保护设备同系统阻抗是否兼容的参数。 10、最大纵向放电电流：指每线对地施加波形为8/20μs的标准雷电波冲击1次时，保护器所耐受的最大冲击电流峰值。 11、最大横向放电电流：指线与线之间施加波形为8/20μs的标准雷电波冲击1次时，保护器所耐受的最大冲击电流峰值。 12、在线阻抗：指在标称电压Un下流经保护器的回路阻抗和感抗的和。通常称为“系统阻抗”。 13、峰值放电电流：分两种：额定放电电流Isn和最大放电电流Imax。 14、漏电流：指在75或80标称电压Un下流经保护器的直流电流。

半导体二极管的文字符号VD中V是哪个英文单词的缩写

二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： 1、最大整流电流IF：是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2APl最大整流电流为16mA。 2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例如2APl最高反向工作电压规定为2OV， 而反向击穿电压实际上大于40V。 3、反向电流IR：指管子末击穿时的反向电流， 其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。 4、正向压降VD：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 5、动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即：rd=△VD/△ID。 6、极间电容CJ：二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容，在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态，其极间电容产生的影响效果也不同。 二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压，否则将容易损坏管子。

反向击穿电压ubr的名词解释

反向击穿电压ubr的名词解释：当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。UBR是英文breakingreversevoltage的缩写，中文意思是可使毁坏的反向电压，就是反向击穿电压。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。

电压英语怎么说

“电压”英语翻译:

1. voltage

2. pressure

3. tension

voltage

美:

英:

权威用法:

电压

a high-/low-voltage cable

高压/低压电缆

英英释义:

voltage

1.the rate at which energy is drawn from a source that produces a flow of electricity in a circuit; expressed in volts

同义词:

electromotive force/emf

2.the difference in electrical charge between two points in a circuit expressed in volts

同义词:

electric potential/potential/potential difference/potential drop

电容器的耐压值和额定电压、击穿电压有什么区别电容器上标的电压是什么电压

楼下的回答基本是正解，但如果不解释下最高电压，楼主可能也搞不明白，设备或是元器件的额定电压就是正常运行的工作电压，但正常运行的工作电压在系统上电压是有波动的，就提出一个最高工作电压概念，最高工作电压可达1.1～1.15额定电压，在最高工作电压下电容器或设备是不会损坏的，也就是俗称的耐压，而击穿电压肯定是高于最高工作电压，达到这个值，运行中的设备楼主问的电容就会击穿损坏而不能使用。

做场效应传感器时用什么仪器测试

用场效应管测试仪。场效应管测试仪的使用方法：打开电源开关前应检查：Idm开关和高压开关应拨在OFF 位置上。1、塑封功率场效应管的测试： 按第五条：“测试盒和附加测试线”的说明，连接好场效应管专用测试盒和专用的两根粗的附加测试线。(1)、击穿电压 VDSS 和栅极开启电压 VGS（th)的测量：先根据被测管测量 VDSS 和 VGS （th)的技术条件，选择好Idss 开关上的电流值（在不知道测试条件时一般是MOS 功率场效应管选择250uA，IGBT 选择1mA）。把高压开关拨至ON，先调节“高压调节”电位器使数字表显示在大于被测器件击穿电压的 130左右，测试时只要击穿指示灯亮了就说明电压已经够了，反之则再调高一些也无仿，注意：调好后必须把“高压”开关关断（OFF 位置上）。把被测的场效应管插入VDSS /VGS（th)测试座（注意：不管是TO-220 或TO-3P 封装的，都必须把中间的D 极对应的插入插座中间孔“D”中）。若先测VDSS 则先把测试盒右测开关拨至 VDSS 位，然后按下仪器右下方的 VDSS 按钮，电压表立即显示该被测管的击穿电压值。再把测试盒开关拨至VGS(th)位,按下仪器右下方的VGS(th)按钮，电压表立即显示该被测管的栅极开启电压值，一般在2 - 6V 范围内。例：IRFZ44N测试VDSS 和VGS(th)时的Idss 电流要求为250uA，所以把Idss 开关拨至250uA, 把测试盒开关拨至VDSS，按下VDSS 测量按钮，电压表显示为60V，再把测试盒开关拨至 VGS(th)，按下VGS(th)测量按钮，电压表显示为2.5V。 测试结果为：击穿电压VDSS = 60V，栅极开启电压VDS(th) = 2.5V 。(2)、跨导Gfs 的测试：测试跨导Gfs 时必须使用两根粗的附加测试线，并根据第五条第3 点的要求连接好，测试前仪器右上角的Idm开关必须先拨在OFF 上。 插上被侧管，并把S2 线的鳄鱼夹头，夹住被测管的S1 脚根部（注意：不要和D 极短路）。把Idm开关拨至ON，会看到短路指示灯亮后即灭，机内的蜂鸣器响后又停，属正常现象。 先后调节脉冲电流Idm1 粗调和细调电位器，至被测场效应管测试Gfs 参数时的电流值，当数字基本稳定后按下脉冲电流 Idm2 测试按钮，并读取电流值。（部分常用功率场效应管的测试参数请参照后面的参数表）本仪器跨导Gfs 的计算方法：S = （Idm2 - Idm1）×10，一般用心算即可读取。例：IRFZ44N 测试跨导时的标准电流要求为25A，则粗细调节Idm1 为25.0A，当按下Idm2 按钮时电流显示为27.3A，则该管的跨导S = （27.3 - 25.0）×10 = 23 。 测试完毕后必须先把Idm开关关断（拨至OFF）方可更换另一管子。 正宗某一品牌公司生产的同一型号同一批次的管子，其跨导参数的离散性一般较小，测试时用抽检方式即可。(3)、大电流条件下 ID 一致性测试（即配对）：该方法主要用于一批同型号同品牌的场效应管，在栅压不变的条件下，测试其大电流ID 的一致性。 由于功率场效应管在同一栅压条件下输出的ID 值往往有很大的离散性，即使是同一公司生产的同批次管子也不能保证其 ID 完全的一致，对于不同公司生产的同一型号管子其 ID 的差别有时候会相差很大，所以大电流条件下ID 一致性测试，是用于多个并联应用或推挽应用电路中很重要的一步。（测试操作方法同跨导测试法的Idm1 电流测量）。 一致性测试前请先选择好参考样管。2、塑封功率IGBT 管的测试： 塑封功率IGBT 管的测试方法完全和测试功率场效应管相同，所不同的仅是引出脚的名称和被测参数的符号有区别。（ 功率场效应管 ） （IGBT 管） 漏源击穿电压：VDSS 集发击穿电压： V(BR)CES 栅极开启电压：VGS(th) 栅极开启电压： VGE(th) 漏源漏电流：Idss 集发漏电流：Ices 漏极电流：ID 集电极电流：IC 跨导：Gfs 跨导：Gfs 漏极：D 集电极：C 栅极：G 栅极：G 源 极 ： S 发射极：E3、其它封装形式的功率场效应管及IGBT 管的测试： 本仪器提供的测试盒主要用于TO-126、TO-220、TO-3P 等同类封装形式的场效应管和IGBT 管的测试用，对于非上述封装形式的器件（包括模块型），本仪器提供有测试线，也同样可以进行参数的测量,具体的连接方法请参照“测试线测量法连接图”。4、其它更大标称电流和功率的场效应管及IGBT 的测试： 虽然本仪器对器件的标称电流和功率的测量范围界定在约85A/300W以内，那是根据器件厂家在技术条件上所规定的测量要求而已，实际上当你所使用的器件超出本仪器的界定范围以外时，仪器同样可以进行Idm=50A 的条件下测试跨导参数，同样可以测量VDSS 和Vgs(th)。5、各类晶体三极管、二极管击穿电压的测试，稳压管、压敏电阻电压的测试等： 测量各类晶体三极管、二极管的击穿电压，稳压管、压敏电阻电压时的方法请看“测试线测量法。

mosfet击穿怎么用英语

MOSFET abbr. metallic oxide semiconductor field effecttransistor 金属氧化物半导体场效应晶体管; This increase of the reflected voltage results in a higher drain-source voltage blocking MOSFET and longer duty cycles.增加的反射电压导致使用更高漏源极击穿电压的场效应晶体管和更大的开关占空比。

电容器的耐压值、额定电压和击穿电压有什么区别电容器上标的电压是什么电压

耐压值：电容不被击穿所能承受的最大电压，一到超过耐压值电容就会损坏。（在进行测试的时候会提供耐压值标定的电压，但是不会进行很长时间以防止长时间高压损坏电容。）

额定电压：保持电容长期稳定工作的标准电压。（工作中的电容最好和这个值相等，超过则会损伤电容器）

击穿电压：达到这个值，电容器就会损坏。（肯定高于最高工作电压，是能损坏电容器的最低电压。）

电容器上标的电压：额定电压

电容器：通常简称其容纳电荷的本领为电容。“装电的容器”电容器种类很多，用途广泛。